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发力第三代半导体 “后摩尔”时代的闻泰科技开足马力

2021-08-11 16:22  来源:营销中国网 www.marketcn.cn
 

Cassataro认为,后摩尔时代的第三代半导体将带来一场电力电子领域的革命。他说:“随着设计人员开始探索氮化镓 (GaN)和碳化硅 (SiC)等宽带隙 (WBG)半导体技术的优点,我们正在经历电力电子领域的一场革命。 WBG器件具备三大优势:提升效率;增加功率密度;并降低系统成本。这些都是改变游戏规则的技术,此前我们从未见过任何新技术在推出时就能够比旧的技术更具成本效益、拥有更广泛的产品系列或拥有更多成功案例。”

Cassataro介绍了闻泰科技安世半导体开展第三代半导体业务的最新情况:“安世半导体的目标是成为电动车用 GaN器件的市场领导者。为实现这一目标,安世半导体三年来不断巩固氮化镓器件技术领先性,从最初推出 RDS(on)为 60 mΩ的 650 V晶体管,到30 mΩ的新器件,并很快将达到 5 mΩ。安世半导体GaN器件的发展非常迅速,尤其是在开发市场领先的封装技术方面。因此,联合汽车电子有限公司 (UAES)等汽车领域的公司也与安世建立了合作伙伴关系,以解决电动汽车动力系统日益增长的技术要求,并共同开发基于 GaN技术的汽车应用。”

安世半导体2021年加大对晶圆厂投资,升级8英寸晶圆生产线,以确保能够满足市场对半导体不断增长的需求。而作为封装技术领导者,安世半导体除了TO-247插件封装之外,还拥有一款CCPAK贴片封装的GaN器件,习惯使用贴片封装硅器件的设计人员可以轻松切换到 GaN,从而利用该技术提升效率、功率密度和成本优势。



本文标题:发力第三代半导体 “后摩尔”时代的闻泰科技开足马力
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(责编:贺迎春)

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